| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 漏源极电阻 | 1.50 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.9 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
| 上升时间 | 6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 206pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.9 W |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.9W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.5 mm |
| 高度 | 1.8 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 200 V 1A（Tc） 2.9W（Tc） SOT-223
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STN1NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 800 V, 13 ohm, 30 V, 3.75 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
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STMICROELECTRONICS STN1NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V
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N - CHANNEL 200V - 1.2欧姆 - 1A - SOT- 223功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.2 ohm - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
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N - 通道800V - 16欧姆 - 0.2A - SOT- 223的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 800V - 16 ohm - 0.2A - SOT-223 PowerMESH] MOSFET
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N沟道600V - 12ohm - 0.3A - SOT- 223 MOSFET PowerMesh⑩II N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Fast Switching
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