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STS6PF30L
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STS6PF30L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:P沟道30V - 0.027欧姆 - 6A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.027 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
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STS6PF30L 数据手册 (8 页)
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STS6PF30L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)-30.0 V
额定电流-6.00 A
封装SOIC-8
漏源极电阻30.0 mΩ
极性P-Channel
功耗2.5W (Tc)
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±16.0 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
上升时间140 ns
输入电容值(Ciss)1670pF @25V(Vds)
下降时间19 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Tc)
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STS6PF30L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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STS6PF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STS6PF30 数据手册

STS6PF30L 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
P沟道30V - 0.027欧姆 - 6A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.027 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
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