| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 3.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 1.50 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 42W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
| 上升时间 | 4 ns |
| 正向电压(Max) | 1.5 V |
| 输入电容值(Ciss) | 324pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 42 W |
| 下降时间 | 10.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 42W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 3A（Tc） 42W（Tc） DPAK
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 1.3 Ω ， 3 A TO -220 ， DPAK ， IPAK齐纳保护的MDmesh ？功率MOSFET N-channel 600 V, 1.3 Ω, 3 A TO-220, DPAK, IPAK Zener-protected MDmesh? Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 1.3升© ， 3 A TO -220 ， DPAK ， IPAK齐纳保护MDmeshâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 600 V, 1.3 Ω, 3 A TO-220, DPAK, IPAK Zener-protected MDmesh⢠Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 1.3ohm - 3A TO- 220 / DPAK / IPAK齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET
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