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SUD50N04-8M8P-4GE3
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SUD50N04-8M8P-4GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:VISHAY  SUD50N04-8M8P-4GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 6.9 mohm, 10 V, 1.5 V
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焊盘图
引脚图
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SUD50N04-8M8P-4GE3 数据手册 (10 页)
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SUD50N04-8M8P-4GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0069 Ω
极性N-Channel
功耗48.1 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)40 V
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)2400pF @20V(Vds)
下降时间15 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)48.1 W
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SUD50N04-8M8P-4GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.38 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SUD50N04-8M8P-4GE3 数据手册

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Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.16 MByte
SUD50N04-8M8P-4GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.16 MByte
SUD50N04-8M8P-4GE3 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.22 MByte

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