| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 0.18 Ω |
| 极性 | P |
| 漏源极电压(Vds) | -20V |
| 连续漏极电流(Ids) | -2A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 最小包装数量 | 3000 |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.1Ω @-2A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| Features Low On-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT3). 描述与应用| 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管。 小和表面贴装封装（TSMT3）
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