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SUM110P08-11L-E3
来自 AiPCBA

SUM110P08-11L-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-263
描述:VISHAY  SUM110P08-11L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -110 A, -80 V, 0.0093 ohm, -10 V, -3 V
PDF文件:SUM110P08-11L-E3 数据手册 (6 页)
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SUM110P08-11L-E3 数据手册 (6 页)
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SUM110P08-11L-E3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-263
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0093 Ω
极性P-Channel
功耗375 W
漏源极电压(Vds)80 V
连续漏极电流(Ids)-11.0 A
输入电容值(Ciss)10850pF @40V(Vds)
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-50 ℃
耗散功率(Max)13600 mW
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SUM110P08-11L-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
高度4.83 mm
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SUM110P08-11L-E3 数据手册

SUM110P08-11L-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
6 页 / 0.07 MByte
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8 页 / 0.12 MByte
SUM110P08-11L-E3 产品修订记录
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SUM110P08-11L-E3 产品手册
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