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TC58NVG1S3HTAI0 数据手册 (65 页)
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TC58NVG1S3HTAI0 技术参数、封装参数

TC58NVG1S3HTAI0 外形尺寸、物理参数、其它

TC58NVG1S3HTAI0 数据手册

Toshiba(东芝)
65 页 / 3.2 MByte
Toshiba(东芝)
52 页 / 0.7 MByte

TC58NVG1S3 数据手册

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NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
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Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
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