| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 15A |
| 输入电容值(Ciss) | 1100pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 29 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -40V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流Id Drain Current | -15A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -0.8~-2.0V 耗散功率Pd Power dissipation | 29W 描述与应用 Description & Applications | 场效电晶体硅p沟道MOS(U-MOS) 直流-直流转换器 台式电脑 (1)低漏源极导通电阻:RDS()= 28 mΩ(typ。)(vgs = -10 V) (2)低漏电流:ids = -10μA(max)(VDS = -40 V) (3)增强模式:Vth = -0.8到-2.0 V(VDS = -10 V,ID = -0.1 mA)
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
TJ15P04M3 增强型场效电晶体硅p沟道 -40V -15A TO252 代码 TJ15P04M3
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