类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-363 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.5A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 145mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 500mA 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 0.5~1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) High Speed Switching Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low on-resistance: Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 180mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) 描述与应用| 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS类型(U-MOSIII) 高速开关应用 •最适用于高密度安装在小包装 •低导通电阻RON =145mΩ(最大)(@ VGS= 4.5 V) RON=180mΩ(最大)(@ VGS= 2.5 V)
Toshiba(东芝)
6 页 / 0.16 MByte
Toshiba(东芝)
SSM6N24TU 复合场效应管 30V 500mA/0.5A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 NF 高速开关
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件