Datasheet 搜索 > MOS管 > Toshiba（东芝） > TJ80S04M3L(T6L1,NQ Datasheet 文档
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
来自 AiPCBA

TJ80S04M3L(T6L1,NQ 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
TJ80S04M3L(T6L1,NQ 数据手册 (63 页)
查看文档
或点击图片查看大图

TJ80S04M3L(T6L1,NQ 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-252-3
极性P-CH
功耗100 W
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)80A
上升时间100 ns
输入电容值(Ciss)7770pF @10V(Vds)
下降时间300 ns
耗散功率(Max)100W (Tc)

TJ80S04M3L(T6L1,NQ 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度5.5 mm
高度2.3 mm
工作温度175℃ (TJ)

TJ80S04M3L(T6L1,NQ 数据手册

TJ80S04M3L(T6L1,NQ 产品设计参考手册
Toshiba（东芝）
63 页 / 1.58 MByte
TJ80S04M3L(T6L1,NQ 其他数据使用手册
Toshiba（东芝）
51 页 / 0.41 MByte

TJ80S04M3LT6L1 数据手册

器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet