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TK8A65D(STA4,Q,M)
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TK8A65D(STA4,Q,M) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:场效应管(MOSFET) TK8A65D(STA4,Q,M) TO-220SIS
PDF文件:TK8A65D(STA4,Q,M) 数据手册 (6 页)
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TK8A65D(STA4,Q,M) 数据手册 (6 页)
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TK8A65D(STA4,Q,M) 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗45W (Tc)
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)8A
上升时间22 ns
输入电容值(Ciss)1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max)45 W
下降时间15 ns
耗散功率(Max)45W (Tc)
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TK8A65D(STA4,Q,M) 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度150℃ (TJ)
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TK8A65D(STA4,Q,M) 数据手册

TK8A65D(STA4,Q,M) 数据手册
Toshiba（东芝）
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场效应管(MOSFET) TK8A65D(STA4,Q,M) TO-220SIS
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