FCMT199N60 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	Power-88-4
描述:	SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FCMT199N60 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	4 Pin
封装	Power-88-4
漏源极电阻	199 mΩ
极性	N-CH
功耗	208 W
漏源极电压(Vds)	600 V
漏源击穿电压	600 V
连续漏极电流(Ids)	20.2A
上升时间	10 ns
输入电容值(Ciss)	2950pF @100V(Vds)
下降时间	5 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	208W (Tc)

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FCMT199N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	8 mm
宽度	8 mm
高度	1.05 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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