类型 | 描述 |
---|
封装 | TO-236 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.73A |
VISHAY(威世)
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规格比较TN0200K与TN0200T Specification Comparison TN0200K vs. TN0200T
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY TN0200K-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 20 V, 400 mohm, 4.5 V, 600 mV
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
Vishay Semiconductor(威世)
TN0200K N沟道MOSFET 20V 730mA/0.73A SOT-23/SC-59 marking/标记 高速开关/低导通电阻
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