| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 输出电流 | ≤30.0 A |
| 正向电压 | 910mV @30A |
| 极性 | Standard |
| 正向电压(Max) | 910mV @30A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -20 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.26 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 8.89 mm |
| 工作温度 | -20℃ ~ 150℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
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VISHAY（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY VF30100S-E3/4W 肖特基二极管, 30A, 100V, ITO-220AB-3
VISHAY（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.455 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.39 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.455 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.39 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A
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