VF30100SG-E3/4W 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:	Vishay Semiconductor（威世）
分类:	肖特基二极管
封装:	TO-220-3
描述:	TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
PDF文件:	VF30100SG-E3/4W 数据手册 (5 页)封装尺寸在4 页典型应用电路图在1 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

VF30100SG-E3/4W 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

VF30100SG-E3/4W 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
正向电压	1V @30A
正向电流	30 A
最大正向浪涌电流	250 A
正向电压(Max)	1 V
正向电流(Max)	30 A
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃

查看数据手册 >

VF30100SG-E3/4W 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Each
长度	10.26 mm
宽度	4.83 mm
高度	15.24 mm
工作温度	-40℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

VF30100SG-E3/4W 符合标准

VF30100SG-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.16 MByte

VF30100SG-E3/4W 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.14 MByte

VF30100SGE34 数据手册

VF30100SG-E3/4W 数据手册

VISHAY（威世）

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A

VF30100SG-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor

VF30100SG-E3/4W 数据手册

Vishay Siliconix

VF30100SG-E3/4W 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号