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VNN1NV0413TR
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VNN1NV0413TR 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:FET驱动器
封装:TO-261-4
描述:“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
PDF文件:VNN1NV0413TR 数据手册 (33 页)原理图在5 页
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焊盘图
引脚图
产品图
VNN1NV0413TR 数据手册 (33 页)
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VNN1NV0413TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
额定电压(DC)40.0 V
额定电流1.70 A
封装TO-261-4
输出接口数1 Output
漏源极电阻250 mΩ
极性N-Channel
功耗7 W
漏源击穿电压40.0 V
连续漏极电流(Ids)1.70 A
上升时间170 ns
输出电流(Max)1.7 A
输入数1 Input
下降时间200 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)7000 mW
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VNN1NV0413TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.50 mm
宽度3.50 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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VNN1NV0413TR 数据手册

VNN1NV0413TR 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
33 页 / 0.39 MByte
VNN1NV0413TR 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
62 页 / 0.91 MByte

VNN1NV0413 数据手册

VNN1NV0413TR 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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