类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 250 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 192 W |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
上升时间 | 20 ns |
输入电容值(Ciss) | 1380pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 192 W |
下降时间 | 15 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 192W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
宽度 | 9.35 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.20ohm - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.20ohm - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET ? N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.20ヘ - 20A - TO220 / FP- D2PAK - I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.20ohm - 20A D2PAK FDmesh⑩Power MOSFET,具有快速二极管 N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A D2PAK FDmesh⑩Power MOSFET With FAST DIODE
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.22ohm - 20A TO- 220 / I2PAK FDmesh⑩功率MOSFET,快速二极管 N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-220/I2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
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