NCV1413BDR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	SOIC-16
描述:	NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管
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NCV1413BDR2G 数据手册 (8 页)

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NCV1413BDR2G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	16 Pin
额定电压(DC)	50.0 V
额定电流	500 mA
封装	SOIC-16
无卤素状态	Halogen Free
输出电压	50 V
输出电流	50 µA
针脚数	16 Position
极性	NPN
击穿电压(集电极-发射极)	50 V
集电极最大允许电流	0.5A
最小电流放大倍数	1000 @350mA, 2V
直流电流增益(hFE)	1000
工作温度(Max)	125 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
输入电压	30 V

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NCV1413BDR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10 mm
宽度	4 mm
高度	1.5 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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NCV1413BDR2G 符合标准

NCV1413BDR2G 海关信息

NCV1413BDR2G 概述

NCV1413BDR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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NCV1413BDR2G 其他数据使用手册

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NCV1413BDR2G 产品设计图

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高电压，大电流达林顿晶体管阵列 High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays

NCV1413BDR2G 数据手册

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