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VT6M1T2CR
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VT6M1T2CR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SMD-6
描述:VT6M1 系列 20 V 100 mA 3.5 Ohm 表面贴装 N/P-沟道 Mosfet - VMT6
PDF文件:VT6M1T2CR 数据手册 (19 页)典型应用电路图在18 页
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焊盘图
引脚图
产品图
VT6M1T2CR 数据手册 (19 页)
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VT6M1T2CR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SMD-6
通道数2 Channel
针脚数6 Position
漏源极电阻2.5 Ω
极性N-Channel, P-Channel
功耗150 mW
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压±20 V
连续漏极电流(Ids)0.1A
输入电容值(Ciss)7.1pF @10V(Vds)
额定功率(Max)120 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 mW
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VT6M1T2CR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度1.24 mm
宽度1.02 mm
高度0.6 mm
工作温度150℃ (TJ)
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VT6M1T2CR 数据手册

VT6M1T2CR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
19 页 / 3.62 MByte
VT6M1T2CR 产品设计参考手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
67 页 / 2.17 MByte
VT6M1T2CR 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
31 页 / 0.41 MByte

VT6M1T2 数据手册

VT6M1T2CR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
VT6M1 系列 20 V 100 mA 3.5 Ohm 表面贴装 N/P-沟道 Mosfet - VMT6
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