类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 8 Pin |
电源电压 | 4.50V (min) |
封装 | PDIP-8 |
上升/下降时间 | 30 ns |
输出接口数 | 2 Output |
供电电流 | 8.00 mA |
功耗 | 730 mW |
下降时间(Max) | 30 ns |
上升时间(Max) | 30 ns |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 730 mW |
电源电压 | 4.5V ~ 18V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.16 mm |
宽度 | 6.6 mm |
高度 | 4.06 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
TC426/427/428 MOSFET 驱动器
●Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。
●### 特点
●高速切换 (CL = 1000 pF):30 ns
●高峰值输出电流:1.5A
●高输出电压摆幅:VDD -25 mV,GND +25 mV
●低输入电流(逻辑0或1):1 μA
●与 TTL/CMOS 输入兼容
●配置:TC426 - 反相,TC427 - 同相,TC428 - 反相/同相
●工作电源电压:4.5V 至 18V
●电流消耗:输入低 0.4 mA,输入高 8 mA
●单电源操作
●低输出阻抗:6 Ω
●防闩锁:耐受 >500 mA 反向电流
●ESD 保护:2 kV
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TC426/427/428 MOSFET 驱动器Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。### 特点高速切换 (CL = 1000 pF):30 ns 高峰值输出电流:1.5A 高输出电压摆幅:VDD -25 mV,GND +25 mV 低输入电流(逻辑0或1):1 μA 与 TTL/CMOS 输入兼容 配置:TC426 - 反相,TC427 - 同相,TC428 - 反相/同相 工作电源电压:4.5V 至 18V 电流消耗:输入低 0.4 mA,输入高 8 mA 单电源操作 低输出阻抗:6 Ω 防闩锁:耐受 >500 mA 反向电流 ESD 保护:2 kV ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Microchip
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MICROCHIP TC427CPA 双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 75ns延迟, DIP-8
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MICROCHIP TC427COA 双路驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 75ns延迟, SOIC-8
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TC427系列 1.5A 18V最高电压 双通道 低边 非反相 MOSFET驱动器-CERDIP-8
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TC427系列 1.5A 18V最高电压 双通道 低边 非反相 MOSFET驱动器-SOIC-8
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TC427系列 1.5A 18V最高电压 双通道 低边 非反相 MOSFET驱动器-CERDIP-8
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TC426/427/428 MOSFET 驱动器Microchip TC426、TC427 和 TC428 设备是双低侧 MOSFET 驱动器。### 特点高速切换 (CL = 1000 pF):30 ns 高峰值输出电流:1.5A 高输出电压摆幅:VDD -25 mV,GND +25 mV 低输入电流(逻辑0或1):1 μA 与 TTL/CMOS 输入兼容 配置:TC426 - 反相,TC427 - 同相,TC428 - 反相/同相 工作电源电压:4.5V 至 18V 电流消耗:输入低 0.4 mA,输入高 8 mA 单电源操作 低输出阻抗:6 Ω 防闩锁:耐受 >500 mA 反向电流 ESD 保护:2 kV ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Microchip
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