类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 450 mA |
封装 | TO-92-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 2 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 700 mW |
阈值电压 | 2.4 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 450 mA |
输入电容值(Ciss) | 75pF @18V(Vds) |
额定功率(Max) | 700 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 700mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes(美台)
60V,710mA,2Ω,单N沟道功率MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. ZVN2106G 晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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