| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 230 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 4 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 700 mW |
| 阈值电压 | 2.4 V |
| 输入电容 | 75.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 320 mA |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 75pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 700 mW |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 700 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 100 V 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92
Diodes（美台）
3 页 / 0.05 MByte
Diodes（美台）
293 页 / 0.91 MByte
Diodes（美台）
1 页 / 0.15 MByte
Diodes（美台）
ZVN2110A 系列 100 V 4 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92
Diodes（美台）
ZVN2110G 系列 100 V 4 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-223
Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) ZVN2110ASTZ EP3SC
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. ZVN2110G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes（美台）
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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