类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 500 mA |
封装 | TO-261-4 |
漏源极电阻 | 4.00 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2 W |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
上升时间 | 4 ns |
输入电容值(Ciss) | 75pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.7 mm |
宽度 | 3.7 mm |
高度 | 1.65 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
ZVN2110A 系列 100 V 4 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92
Diodes(美台)
ZVN2110G 系列 100 V 4 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-223
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) ZVN2110ASTZ EP3SC
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. ZVN2110G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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