| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 1.10 A |
| 封装 | TO-92-3 |
| 漏源极电阻 | 450 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 850 mW |
| 输入电容 | 350 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.10 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 850mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape, Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.77 mm |
| 宽度 | 2.41 mm |
| 高度 | 4.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
7 页 / 0.48 MByte
Diodes（美台）
ZVN4306A 系列 60 V 0.33 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-TO-92
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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