类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-23-6 |
极性 | N-CH |
功耗 | 1.1W (Ta) |
漏源极电压(Vds) | 250 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.23A |
输入电容值(Ciss) | 72pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 1.1W (Ta) |
Vishay Semiconductor(威世)
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Diodes(美台)
DIODES INC. ZVN4525E6TA 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 230 mA, 250 V, 8.5 ohm, 10 V, 1.4 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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