类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -160 mA |
封装 | TO-92-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 14 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 625 mW |
输入电容 | 50.0 pF |
漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 160 mA |
上升时间 | 8 ns |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
长度 | 4.77 mm |
宽度 | 2.41 mm |
高度 | 4.01 mm |
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
ZVP3306A 系列 60 V 14 Ohm P 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92
Zetex
DS(ON)=5ΩPARTMARKING详细信息: - ZVP2106互补型: - ZVN2106G
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. ZVP3306F 晶体管, MOSFET, P沟道, 90 mA, -60 V, 14 ohm, -10 V, -3.5 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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