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2SB1386T100R

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2SB1386T100R 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:	ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:	双极性晶体管
封装:	SOT-89
描述:	ROHM 2SB1386T100R 单晶体管双极, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE
PDF文件:	2SB1386T100R 数据手册 (5 页)封装尺寸在1 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

2SB1386T100R 数据手册 (5 页)

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2SB1386T100R 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	-20.0 V
额定电流	-5.00 A
封装	SOT-89
额定功率	2 W
针脚数	3 Position
极性	PNP
功耗	500 mW
击穿电压(集电极-发射极)	20 V
集电极最大允许电流	5A
最小电流放大倍数	180 @500mA, 2V
最大电流放大倍数	390
额定功率(Max)	2 W
直流电流增益(hFE)	82
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	2000 mW

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2SB1386T100R 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not For New Designs
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
宽度	2.5 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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2SB1386T100R 符合标准

2SB1386T100R 海关信息

2SB1386T100R 概述

2SB1386T100R 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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2SB1386T100 数据手册

2SB1386T100R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM 2SB1386T100R 单晶体管双极, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE

2SB1386T100Q 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM 2SB1386T100Q 单晶体管双极, 双路, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE

2SB1386 T100R 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

PNP三极管 -30V -5A 120MHz 180~390 -1000mV SOT-89 代码 BHR

2SB1386 T100Q 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

PNP三极管 -30V -5A 120MHz 120~270 -1000mV SOT-89 代码 BHQ

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