类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 2.90 A |
封装 | TO-252-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 2.11W (Ta) |
输入电容 | 274 pF |
栅电荷 | 3.00 nC |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.50 A |
上升时间 | 1.70 ns |
输入电容值(Ciss) | 274pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.11 W |
耗散功率(Max) | 2.11W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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DIODES INC. ZXMN10A11G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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