| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 功耗 | 150 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 输入电容值(Ciss) | 9.1pF @3V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 100mA（Ta） 150mW（Ta） USM
Toshiba（东芝）
5 页 / 0.23 MByte
Toshiba（东芝）
SSM3J15FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
SSM3J15FS P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
SSM3J15F P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-23 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
SSM3J15TE P沟道MOS场效应管 -20V -100mA/0.1A 6ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
TOSHIBA SSM3J15TE(TE85L,F) 晶体管, MOSFET, P沟道, 100 mA, -30 V, 12 ohm, -4 V, -1.7 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
