类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 2.40 A |
封装 | TO-261-4 |
漏源极电阻 | 180 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.9 W |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.40 A |
上升时间 | 3.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 330pF @40V(Vds) |
额定功率(Max) | 2 W |
下降时间 | 4.6 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.7 mm |
宽度 | 3.7 mm |
高度 | 1.65 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 60 V 3.1A(Ta) 2W(Ta) SOT-223-3
Diodes(美台)
8 页 / 0.6 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. ZXMN6A11G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 60 V, 140 mohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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