类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.15 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 4.3 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.9A |
上升时间 | 6.8 ns |
输入电容值(Ciss) | 1055pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.17 W |
下降时间 | 17.9 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 10200 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes(美台)
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ZXMP10A18 系列 100 V 0.15 Ohm P 沟道 增强模式 MOSFET - DPAK
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,100V 至 450V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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