类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -10.4 A |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 55 mΩ |
极性 | P-CH |
功耗 | 10.1 W |
阈值电压 | 1 V |
输入电容 | 1.58 nF |
栅电荷 | 23.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 10.4 A |
上升时间 | 5.8 ns |
输入电容值(Ciss) | 1580pF @30V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.15 W |
下降时间 | 23 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.15W (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 6.8A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
ZXMP6A18DN8 系列 60 V 0.055 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET -SOIC-8
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. ZXMP6A18K 晶体管, MOSFET, P沟道, 10.4 A, -60 V, 55 mohm, -10 V, -1 V
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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