| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | DO-201AD |
| 钳位电压 | 25 V |
| 测试电流 | 1 mA |
| 脉冲峰值功率 | 1500 W |
| 最小反向击穿电压 | 17.6 V |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 工作结温 | -65℃ ~ 175℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 9.5 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）
●Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。
●峰值功率：1500W @1 ms
●3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型
●最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流
●低泄漏 < 5μA 高于 10V
●UL 497B，用于隔离回路保护
●响应时间通常为 < 1ns
●### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
Littelfuse（力特）
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ON Semiconductor（安森美）
1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor（安森美）
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
Littelfuse（力特）
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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