| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-39-3 |
| 功耗 | 800 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 最小电流放大倍数 | 50 @500mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 工作温度(Max) | 200 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 800 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bag |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
Microsemi（美高森美）
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Microsemi（美高森美）
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Microsemi（美高森美）
低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS 2N3019 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 5 W, 1 A, 100 hFE
Multicomp
MULTICOMP 2N3019 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 400 MHz, 800 mW, 1 A, 50 hFE
NTE Electronics
NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
ON Semiconductor（安森美）
低功率晶体管 Low Power Transistor
NXP（恩智浦）
NPN型中功率晶体管 NPN medium power transistor
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