类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 2.5 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 15.0 A |
封装 | TO-204-2 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 115 W |
增益频宽积 | 2.5 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
热阻 | 1.52℃/W (RθJC) |
集电极最大允许电流 | 15A |
最小电流放大倍数 | 20 |
最大电流放大倍数 | 70 |
额定功率(Max) | 115 W |
直流电流增益(hFE) | 70 |
工作温度(Max) | 200 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 115 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tray |
材质 | Silicon |
长度 | 39.37 mm |
宽度 | 26.67 mm |
高度 | 8.51 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 200℃ |
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor
●### 标准
●带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
134 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS 2N3055 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
Multicomp
MULTICOMP 2N3055 单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 800 kHz, 115 W, 15 A, 5 hFE
Microsemi(美高森美)
NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
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