| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 200 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-92-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 20 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -50 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bag |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor（安森美）
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor（安森美）
通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon
CJ（长电科技）
40V 600mA PNP 三极管 V(CBO,Max)= -40V V(CEO,Max)= -40V V(EBO,Max)= -5V VBE(Sat,Min) = -0.75V Ic(Max) = 600mA Pc(max) = 625mW hFE(Min)=100 @Vce=-1V,Ic=-10mA
Multicomp
MULTICOMP 2N4403 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
小信号通用放大器和开关类 Small Signal General Purpose Amplifiers & Switchs
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
