| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | -40.0 V |
| 额定电流 | -600 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 625 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.6A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 2V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon
CJ（长电科技）
40V 600mA PNP 三极管 V(CBO,Max)= -40V V(CEO,Max)= -40V V(EBO,Max)= -5V VBE(Sat,Min) = -0.75V Ic(Max) = 600mA Pc(max) = 625mW hFE(Min)=100 @Vce=-1V,Ic=-10mA
Multicomp
MULTICOMP 2N4403 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
小信号通用放大器和开关类 Small Signal General Purpose Amplifiers & Switchs
ST Microelectronics（意法半导体）
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