类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -40.0 V |
额定电流 | -600 mA |
封装 | TO-92-3 |
击穿电压 | 40.0 V |
极性 | Dual P-Channel |
功耗 | 625 mW |
增益频宽积 | 200 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
集电极最大允许电流 | 0.6A |
最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 2V |
额定功率(Max) | 625 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
材质 | Silicon |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon
CJ(长电科技)
40V 600mA PNP 三极管 V(CBO,Max)= -40V V(CEO,Max)= -40V V(EBO,Max)= -5V VBE(Sat,Min) = -0.75V Ic(Max) = 600mA Pc(max) = 625mW hFE(Min)=100 @Vce=-1V,Ic=-10mA
Multicomp
MULTICOMP 2N4403 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
小信号通用放大器和开关类 Small Signal General Purpose Amplifiers & Switchs
ST Microelectronics(意法半导体)
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