| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 3 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -3.00 A |
| 封装 | TO-225-3 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 30 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 热阻 | 4.16℃/W (RθJC) |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 最小电流放大倍数 | 30 @500mA, 1V |
| 最大电流放大倍数 | 150 |
| 额定功率(Max) | 30 W |
| 直流电流增益(hFE) | 10 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 30000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 7.74 mm |
| 宽度 | 2.66 mm |
| 高度 | 11.04 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
通用 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
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GENERAL.PURPOSE功率晶体管 GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS
Multicomp
MULTICOMP 2N4920 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 3 MHz, 30 W, -1 A, 40 hFE
ST Microelectronics（意法半导体）
Micro Commercial Components（美微科）
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