| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -4.00 A |
| 封装 | TO-126-3 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 40 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 集电极最大允许电流 | 4A |
| 最小电流放大倍数 | 750 @1.5A, 3V |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS BD678 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
ON Semiconductor（安森美）
达林顿功率晶体管PNP硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
Multicomp
MULTICOMP BD678 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
National Semiconductor（美国国家半导体）
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