| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -12.0 V |
| 额定电流 | -6.00 A |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.026 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.6 W |
| 输入电容 | 1.70 nF |
| 栅电荷 | 18.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 漏源击穿电压 | -12.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.00 A, -6.00 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1699pF @6V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 800 mW |
| 下降时间 | 70 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.6 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC606P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -500 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC606P, 6 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装
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