| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.8 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 360 mW |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±18.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200 mA |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 43pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350mW (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V
●\---|---
●最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 18V
●最大漏极电流Id Drain Current | 200mA/0.2A
●源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 1.8Ω/Ohm @500mA,10V
●开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-3V
●耗散功率Pd Power Dissipation | 350mW/0.35W
●Description & Applications | SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET Suitable for logic level gate drive sources Very fast switching Surface-mounted package Trench MOSFET technology
●描述与应用 | 表面贴装 N沟道增强型场效应晶体管 特性 60 V，300毫安N通道沟道MOSFET 适用于逻辑电平栅极驱动源 开关速度非常快 表面贴装封装 沟道MOSFET技术
ST Microelectronics（意法半导体）
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