| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 115 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.3 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 13.5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 70.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 115 mA |
| 上升时间 | 3 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 370mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
2N7002-7-F是一款60V N沟道增强型场效应晶体管, 带镀雾锡端子. 该端子符合MIL-STD-202, method 208焊接标准. 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS (on)), 同时保持卓越的开关性能, 使其成为高效率电源管理应用的理想选择. 外壳由模制塑料"绿色"模塑料 (UL94V-0)制成.
● 低导通电阻
● 低栅极阈值电压
● 低输入电容
● 快速开关速度
● 低输入/输出泄漏
● 无卤素, 无锑
● 绿色设备
● 符合AEC-Q101标准, 高可靠性
Diodes（美台）
13 页 / 0.14 MByte
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Diodes（美台）
N沟道MOSFET 60V 115mA SOT-23 代码 K72 低导通电阻RDS
Multicomp
MULTICOMP 2N7002-7-F 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.2Ω, 115mA, SOT-23
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
CJ（长电科技）
MOS场效应管 2N7002 7002 SOT-23 N沟道,60V,115mA,5Ω@10V
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