| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 3 Ω |
| 功耗 | 350mW (Ta) |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 输入电容值(Ciss) | 21pF @5V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 350mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 240mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
Vishay Siliconix
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2N7002E-T1 N沟道MOSFET 60V 240mA/0.24A SOT-23/SC-59 marking/标记 7ES 低漏源导通电阻
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY 2N7002E-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷
Vishay Semiconductor（威世）
N沟道60 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
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