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2N7002E-T1-GE3
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2N7002E-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
PDF文件:2N7002E-T1-GE3 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页6 页
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2N7002E-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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2N7002E-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-23-3
功耗350mW (Ta)
输入电容值(Ciss)21pF @5V(Vds)
耗散功率(Max)350mW (Ta)
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2N7002E-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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2N7002E-T1-GE3 数据手册

2N7002E-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
8 页 / 0.17 MByte

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