| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 290~460 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 250mW/0.25W Description & Applications | PNP general purpose transistor FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用 | PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大45 V）。 应用 •通用开关和放大
NXP（恩智浦）
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