最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 100V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 16V 最大漏极电流Id Drain Current| 3.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 6.9W Description & Applications| 描述与应用|
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Nexperia（安世）
Nexperia Si N沟道 MOSFET PHT4NQ10T,135, 3.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
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NXP PHT4NQ10LT,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 5 V, 2 V
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NXP PHT4NQ10T,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
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N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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PHT4NQ10LT N沟道MOSFET 100V 3.5A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 4NQ10L 高密度/DMOS技术
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晶体管, MOSFET, N沟道, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 5 V, 2 V
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N 通道 MOSFET，100V 及更高，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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