BST16 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −350V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −300V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 15MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 30~120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -750mV/-0.75V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.3W Description & Applications| PNP high-voltage transistors FEATURES • Low current (max. 200 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| PNP高压晶体管 特点 •低电流（最大200毫安） •高电压（最大300 V）。 应用 •通用开关和放大。