集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 600mV/0.6V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | Medium Power Transistor Features High IC Low VCE(sat). Optimal for low voltage operation. Complements the 2SA1036K. 描述与应用 | 中等功率晶体管 特点 高IC 低VCE(sat)的低电压操作的最佳选择。 补充2SA1036K。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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中等功率晶体管( 32V , 0.5A ) Medium Power Transistor (32V, 0.5A)
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ROHM 2SC2411KT146Q 单晶体管 双极, 高速, NPN, 32 V, 250 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFE
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NPN三极管 40V 500mA 250MHz 120~270 600mV SOT-23 代码 CQ
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NPN三极管 40V 500mA 250MHz 180~390 600mV SOT-23 代码 CR
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中等功率晶体管特点高IC低VCE(sat)的低电压操作的最佳选择。补充2SA1036K。
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