2SC3122 数据手册 - Toshiba（东芝）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 20mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 650MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| NPN Silicon epitaxial Transistors TV VHF RF amplifier applications High gain Low noise Excellent forword AGC characteristics 描述与应用| NPN硅外延晶体管 电视高频射频放大器应用 高增益 低噪音 优秀前置AGC特性